MPro是針對高端研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的型多入射角激光橢偏儀。

EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計實現(xiàn)了納米薄膜的相對厚度測量。

EMPro采用了量拓科技多項技術(shù)。

特點：

原子層量的靈敏度

采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量的極薄納米薄膜，膜厚精度達到0.01nm，折射率精度達到0.0001。

百毫秒量的快速測量

水準的儀器設(shè)計，在保證精度和準確度的同時，可在幾百毫秒內(nèi)快速完成一次測量，可滿足單原子膜層生長的實時測量。

簡單方便的儀器操作

用戶只需一個按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高測量設(shè)置。

應(yīng)用：

EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。

EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。

EMPro可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應(yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。

技術(shù)指標：

注：(1)測量重復(fù)性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。

性能保證：

高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、采樣方法以及低噪聲探測技術(shù)，保證了高穩(wěn)定性和高準確度

高精度的光學(xué)自準直系統(tǒng)，保證了快速、高精度的樣品方位對準

穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計、可靠的樣品方位對準，結(jié)合采樣技術(shù)，保證了快速、穩(wěn)定測量

分立式的多入射角選擇，可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和相對厚度的測量

一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間

一鍵式軟件設(shè)計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用

準確度測試：

在入射角40°~85°范圍內(nèi)對Si基底上SiO2薄膜樣品橢偏角Psi和Delta測量值和理論擬合值如下圖所示：

可選配件：

NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片

NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片

VP01真空吸附泵

VP02真空吸附泵

樣品池