ESS03是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量領(lǐng)域推出的波長掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀，此系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外、到遠紅外。

ESS03采用寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量。

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，膜層厚度、表面微粗糙度等）和光學(xué)參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k、復(fù)介電常數(shù)ε等），也可用于測量塊狀材料的光學(xué)參數(shù)。

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。

技術(shù)特點：

極寬的光譜范圍

采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準確度，非常適合于對光譜范圍要求嚴格的場合。

靈活的測量設(shè)置

儀器的多個關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)要求而設(shè)定（包括：波長范圍、掃描步距、入射角度等），地提高了測量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。

原子層量的檢測靈敏度

采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量地納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm。

非常經(jīng)濟的技術(shù)方案

采用較經(jīng)濟的寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量，儀器整體成本得到有效降低。

應(yīng)用領(lǐng)域：

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。

ESS03適合很大范圍的材料種類，包括對介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體地臨界點，這對于測量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量到10微米左右）。

ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。

薄膜相關(guān)應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、信息、環(huán)保等，典型應(yīng)用如：

半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；

平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；

功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；

生物和化學(xué)工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。

節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域：LOW-E玻璃等。

ESS03系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：

玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

技術(shù)指標：

注：(1)測量重復(fù)性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。

可選配件：

NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片

NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片

VP01真空吸附泵

VP02真空吸附泵

樣品池